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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

終于，此類人拼命的成果展以至于無源GaN混頻器設計制作制作在設置三階交調截點（IIP3）與原生自激振蕩器（LO）控制程序器的占比方位高出所有砷化鎵（GaAs）無源混頻器設計制作制作 - a的質量質因數定制網站MMIC時未建立線形率。從S中光波到K中光波（2 GHz到19 GHz），此類當下無源GaN混頻器呈現的IIP3自然數遠要超出30 dBm，LO控制程序電平約為20 dBm，線形率要超出10 dB。

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