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HMC637BPM5E就是(shi)款砷化鎵(GaAs)、單處理器徽波(bo)整合電路板(ban)(MMIC)、假晶高(gao)光(guang)電遷出(chu)率(lv)晶狀體管(pHEMT)、級聯(lian)分布區(qu)式(shi)傷(shang)害(hai)擴(kuo)大(da)器，在一般作業的(de)時(shi)可構建自偏置(zhi)(zhi)且還具有IDQ待選(xuan)偏置(zhi)(zhi)調正(zheng)和(he)增(zeng)(zeng)加收(shou)益(yi)調正(zheng)。該擴(kuo)大(da)器的(de)作業的(de)的(de)頻率(lv)依據為DC至(zhi)6 GHz，給出(chu)15 dB小數(shu)據信息增(zeng)(zeng)加收(shou)益(yi)、27.5 dBm傷(shang)害(hai)傷(shang)害(hai)（1 dB增(zeng)(zeng)加收(shou)益(yi)進行壓(ya)縮）、40 dBm主要表(biao)現傷(shang)害(hai)IP3和(he)4 dB噪音污染指數(shu)，選(xuan)擇VDD 12 V的(de)電壓(ya)的(de)電壓(ya)時(shi)耗電量(liang)為335 mA。HMC637BPM5E在DC至(zhi)6 GHz區(qu)間內的(de)收(shou)獲平整度（典型案例值±0.5 dB時(shi)）相對突出(chu)，而有頗為更適(shi)合軍用、月球(qiu)基地和(he)測(ce)試(shi)測(ce)試(shi)主主設備用。HMC637BPM5E還更具內部(bu)人員一致至(zhi)50 Ω的(de)手(shou)機輸入(ru)/的(de)輸出(chu)(I/O)，采取合乎RoHS標淮(huai)的(de)5 mm × 5 mm LFCSP現澆混(hun)凝土空腔封(feng)口，可與高(gao)容積(ji)表(biao)貼技藝(SMT)零件主主設備兼容。

HMC637BPM5E結構圖

HMC637BPM5E應用

• 軍事與太空
• 測試儀器儀表

HMC637BPM5E優勢和特點

• P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 輸出IP3：40 dBm（典型值）
• 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2