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Qorvo的TGF2023-2-05有(you)的是款適用SiC HEMT的分柜式5.0 mm GaN，本職(zhi)工作頻(pin)段(duan)從DC到18 GHz。

TGF2023-2-05一般來說作為43 dBm的(de)飽和輸(shu)入輸(shu)出(chu)，3 GHz時的(de)輸(shu)出(chu)增益控制為18 dB。極大輸(shu)出(chu)附(fu)帶(dai)錯誤率為78.3％，這不使TGF2023-2-05不適主要(yao)用于效(xiao)率應用。

該商品無鉛(qian)且遵循RoHS標(biao)準規定。

TGF2023-2-05典型應用

TGF2023-2-05主要(yao)特征

• 速率位置：DC至18 GHz
• 3 GHz時的標稱Psat為43 dBm
• 較大 PAE為78.3％
• 18 dB特殊馬力增益值
• 偏壓：Vd = 12至32 V，Idq = 100-500 mA
• 存儲芯片尺碼：0.82×1.44×0.10mm