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HMC219B是款超小形常用雙不平衡量混頻器，通過8引腳超小形可塑料表貼裝封，帶曝露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單基帶芯片微波通信一體化集成運放(MMIC)混頻器通過砷化鎵(GaAs)金屬材質半導體芯片場負效應納米線管(MESFET)技術造成，不需要外部結構電子電子元件或相匹配集成運放。該電子元件可以作頻繁的范圍為2.5 GHz至7.0 GHz的上直流伺服電機、下直流伺服電機、雙相調配器或相位較為器。 立維創展HMC219B進行通過推廣的巴倫節構，增強出眾的本振(LO)至rf射頻(RF)防護及LO至中頻(IF)防護能。復合RoHS標的HMC219B需線焊，與高容積表貼創造技藝兼容。MMIC能穩定性高可增強操作系統事業質量并有效確保復合HiperLAN、U-NII和ISM條例要。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE技(ji)術(shu)應用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖