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HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封裝的緊湊型砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 升頻(pin)器(qi)(qi)(qi)，工(gong)作(zuo)頻(pin)率范(fan)圍(wei)為 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器(qi)(qi)(qi)件提供 15 dB 的小信號(hao)轉換(huan)增(zeng)益，以及 22 dBc 的邊(bian)帶(dai)抑制。HMC6505A 在可(ke)變增(zeng)益放大(da)器(qi)(qi)(qi) (VGA) 之前使(shi)用(yong)(yong)同(tong)相(xiang)和正交 (I/Q) 混(hun)頻(pin)器(qi)(qi)(qi)，該混(hun)頻(pin)器(qi)(qi)(qi)由主動本地振蕩器(qi)(qi)(qi) (LO) 驅動。提供 IF1 和 IF2 混(hun)頻(pin)器(qi)(qi)(qi)輸入，并需要采用(yong)(yong)外(wai)部(bu) 90° 混(hun)合模(mo)式選(xuan)擇所需的邊(bian)帶(dai)。I/Q 混(hun)頻(pin)器(qi)(qi)(qi)拓撲結構(gou)減少(shao)了對不必(bi)要的邊(bian)帶(dai)進行過濾(lv)的需要。HMC6505A 是混(hun)合式單邊(bian)帶(dai) (SSB) 升頻(pin)器(qi)(qi)(qi)組件的小型替代方案(an)，它可(ke)以使(shi)用(yong)(yong)表面(mian)安(an)裝制造技術，這消除了對引線(xian)鍵合的需要。

HMC6505A應用

• 點到點和單點對多點無線電
• 軍用雷達、電子戰 (EW) 和電子智能 (ELINT)
• 衛星通信

• 傳感器

HMC6505A優勢和特點

• 轉換增益：15 dB（典型值）
• 邊帶抑制：22 dBc（典型值）
• 增益最大時的輸出 P1dB 壓縮：22 dBm（典型值）
• 增益最大時的輸出 IP3：35 dBm（典型值）
• LO 到 RF 隔離：4 dB（典型值）
• LO 到 IF 隔離：9 dB（典型值）
• RF 回波損耗：20 dB（典型值）
• LO 回波損耗：10 dB（典型值）
• IF 回波損耗：20 dB（典型值）
• 裸焊盤，5 mm × 5 mm，32 端子，無引線芯片載體封裝

HMC6505A結構圖