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HMC524ALC3B是一款(kuan)緊湊型GaAs MMIC I/Q混(hun)頻器(qi)(qi)(qi)，采用(yong)(yong)符合RoHS標準(zhun)的(de)(de)無引腳SMT陶瓷封裝。 該器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)可用(yong)(yong)作鏡像抑(yi)制(zhi)(zhi)混(hun)頻器(qi)(qi)(qi)或單邊帶上(shang)變頻器(qi)(qi)(qi)。 該混(hun)頻器(qi)(qi)(qi)采用(yong)(yong)兩個標準(zhun)雙(shuang)平衡混(hun)頻器(qi)(qi)(qi)單元和(he)一個90度混(hun)合器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)，均采用(yong)(yong)GaAs MESFET工藝制(zhi)(zhi)造。 HMC524ALC3B低頻正交混(hun)合器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)用(yong)(yong)于產生100 MHz IF輸出。 該產品為混(hun)合型鏡像抑(yi)制(zhi)(zhi)混(hun)頻器(qi)(qi)(qi)和(he)單邊帶上(shang)變頻器(qi)(qi)(qi)組(zu)件(jian)(jian)的(de)(de)小型替代器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)。立(li)維創展 ADI現貨(huo)HMC524ALC3B無需(xu)線焊(han)，可以使(shi)用(yong)(yong)表貼(tie)制(zhi)(zhi)造技術。

HMC524ALC3B應用

• 點對點和點對多點無線電
• VSAT 
• 測試設備和傳感器

• 軍用最終用途

HMC524ALC3B優勢和特點

• 無源：無需直流偏置
• 轉換損耗： 9 dB
• 鏡像抑制： 20 dB（典型值）
• LO至RF隔離：35 dB（典型值）
• LO至IF隔離：25 dB（典型值）
• IP3：18 dBm（典型值）
• P1dB：17 dBm（典型值）
• 中頻引腳頻率：DC ? 4.5 GHz
• 12引腳、3 mm × 3 mm SMT陶瓷封裝

HMC524ALC3B結構圖