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MABC-001000-DPS00L有(you)的是款(kuan)低(di)輸出(chu)(chu)功率(lv)偏(pian)(pian)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)操(cao)作器，先為被測功率(lv)器件（DUT）具備適宜的柵(zha)極(ji)電流(liu)線電壓(ya)(ya)和(he)脈(mo)寬漏極(ji)電流(liu)線電壓(ya)(ya)偏(pian)(pian)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)。適合的DUT有(you)耗光型GaN（氮(dan)化鎵）或GaAs（砷化鎵）輸出(chu)(chu)功率(lv)縮(suo)放器或HEMT元器件。該模塊圖片還(huan)帶來(lai)偏(pian)(pian)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)排列順序(xu)，于是如果不是會有(you)負柵(zha)極(ji)偏(pian)(pian)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)輸出(chu)(chu)功率(lv)，那么(me)(me)沒辦法將脈(mo)沖(chong)(chong)信號漏極(ji)輸出(chu)(chu)功率(lv)釋放到DUT。本信息手則的操(cao)作組成部分將展(zhan)覽怎么(me)(me)為接(jie)(jie)下來(lai)幾個操(cao)作做到該模塊圖片：操(cao)作按鈕1：利于脈(mo)沖(chong)(chong)造成的漏極(ji)偏(pian)(pian)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)固(gu)定不動負柵(zha)極(ji)偏(pian)(pian)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)。用(yong)首選項(xiang)(xiang)2：含(han)有(you)脈(mo)沖(chong)(chong)激(ji)光造成的漏極(ji)偏(pian)(pian)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)的脈(mo)沖(chong)(chong)激(ji)光造成的負柵(zha)極(ji)偏(pian)(pian)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)。這(zhe)哪幾種用(yong)途首選項(xiang)(xiang)都(dou)將高(gao)性價比(bi)外接(jie)(jie)電源線路和(he)p溝(gou)道輸出(chu)(chu)功率(lv)MOSFET。

表現形式

•  一點上電/跳電字段的穩定GaN保障
•  柵極偏置輸入輸出交流電= 50 mA，常用以輕型RF縮短
•  低額定功率<100 mW
•  方向= 500 ns電源總開關按鈕改變用時
•  6.60 x 22.48 mm2封裝形式，帶1 mm行距SMT引線
•  其它I / O服務器端口的30 dB典型示范EMI / RFI可抑制
•  間接MOSFET按鈕開關帶動的漏極引路的輸出直流電壓= 200 mA
•  享有脈(mo)沖(chong)信號漏極偏壓的加固(gu)柵極。附帶控制器合(he)法(fa)門激(ji)光脈(mo)沖(chong)
•  契合RoHS *準則，兼容260°C此回流焊

• 正的電壓的電壓：50 
• 正電源線電流量：14 mA
• 負供電直流電壓：-3 mA