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AM012WN-00-R就是一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總間距為1.25直徑。它都是個裸模，可實操萬代高達15千兆赫。它可不可以提供數據典型案例的37.7 dBm的飽和狀態公率。此地方具有RoHS。

特征英文

更是高達15GHz的低頻操作方法

在2GHz時增加收益=22dB

PAE=55%

P5dB=37.7dBm

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