AM005WN-BI-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總寬為0.5mm。它都是個瓷質封裝,本職工作速度會達12ghz。BI系例用到了特有設定的瓷質二極管封裝,用到了放到式安轉方式英文,會有變形(BI-G)或直(BI)電纜。封裝形式左下角的活套法蘭還看做直流變壓器接地線極、頻射接地線極和熱入口通道。此組成部分達到RoHS。
特性
可以達到12GHz的中頻操控
收獲=15dB,P5dB=33.5dBm,PAE=51%,漏極=56%@3GHz
外觀貼裝
行之有效cpu散熱的社會底層
用途
高技術性閱讀器
蜂窩wifi信號塔
寬帶網和窄帶放小器
雷達探測
測量器材
軍隊
侵擾器
常常
紅外光元元器