中文版
紅外光元元件
AM012WN-BI-R是一個種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總長寬比為1.25毫米左右。它是在某個陶瓷廠家雙包操作流程達10千兆赫。BI系列的選用特俗方案的衛浴陶瓷芯片封裝，選用置于式組裝習慣，帶有變形（BI-G）或直（BI）電線。封裝形式側面的法蘭片的同時代替直流電壓地線、微波射頻地線和熱過道。此一部分契合RoHS。
有特點
高至10GHz的低頻控制
增加收益=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
外面貼裝
有效性風扇散熱的最底層
使用
高動圖接收到器
蜂窩無線數字移動基站
寬帶網絡和窄帶擴大器
統計
測試測試設備
軍用
電磁波輻射器