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AM025WN-BI-R是一個種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總總寬為2.5mm。它不是個陶瓷廠家芯片封裝，辦公頻繁到達8千兆赫。BI題材分為特出設計的概念的陶瓷廠家裝封，分為置于式重新安裝的方式，暗含可以彎曲的（BI-G）或直（BI）電線。封裝形式低部的卡箍同一時間重復使用交流電的與地面、微波射頻的與地面和熱過道。此局部完全符合RoHS。

癥狀

高達mg8GHz的高頻方法

收獲=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz

表皮貼裝

管用排熱的社會底層

應用

高的動態接收到器

蜂窩wifi手機信號塔

帶寬和窄帶圖像電壓放大器

雷達探測

考試分析儀器

在軍事

打擾器