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XC1900E-03S有的是款低剖面、高能力20dB方向合體電路器，按照新技術適于用、生產制造友好關系的表層配置封裝類型。它是為UMTS和其他的3G適用而設汁的。XC1900E-03S幫著設汁用以電功效和幾率監測方案，并且 要求要嚴抑制合體電路和低復制損耗量的VSWR監測方案。它會用以達150瓦的大電功效適用。與熱變大指數公式為435的聚酰亞胺基片（如經按照嚴格測試儀的FR0-435）和熱變大指數公式同樣。可以提供5/6錫鉛（XC2100A-20P）和6/6浸錫（XC2100A-20S）按照RoHS的面層。

XC1900E-03S特證：?2000–2300兆赫?UMTS和任何3G?高馬力?是低的自然損耗?密不可分交叉耦合?高看向性?生產方式很友好型?磁帶和法杖?提拱無鉛（含砷）或錫鉛?安全，結合=0.41