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EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管（0.15μm pHEMT）技術。

澆口屏幕(mu)寬(kuan)度匹配(pei)為120μm，0.15μm。T形鋁鎂合金道閘兼(jian)有低(di)電容和突出的(de)穩定安全(quan)性。

該(gai)配件體現出(chu)相對高的跨導，若想產生相對高的頻繁(fan) 和(he)低燥音耐腐蝕性。

它以(yi)電源芯(xin)片的方式給出，包(bao)含借助孔拼接的源極(ji)(ji)，僅需限制柵線和漏(lou)極(ji)(ji)線。