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CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管
CHZ015AaQEG  內部匹配的GAN功率晶體管
主要技術參數

CHZ015AaQEG  內部匹配的GAN功率晶體管

頻射下行帶寬(GHz): 1.2-1.4小移動信號增益值(dB):16馬力(W):15關于收獲(dB): > 14P-1dB輸入輸出(dBm):-PAE(%): > 55購貨交貨時間:3-4周

品牌:UMS微波

類產品情況詳細介紹

CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。

它(ta)為L光波的各(ge)式(shi)各(ge)樣RF工作(zuo)功(gong)率廣泛應用給予了帶寬解決(jue)處(chu)理措(cuo)施。該電源電路相(xiang)當更適合脈(mo)沖發生器(qi)雷達天線APP。

CHZ015AaQEG是(shi)在0.5μm柵長(chang)的GaN HEMT施工工藝(yi)上要求的。它(ta)源于準(zhun)MMIC技木。

它以符合(he)要求RoHS的SMD芯(xin)片封裝可以提供(gong)。