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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

至關重要性能參數

CHZ180AaSEB 內(nei)部匹配的GAN功率晶(jing)體管

頻射下行帶寬（GHz）： 1.2-1.4小警報增益控制（dB）：20效率（W）：200相關收獲（dB）： > 14P-1dB打出（dBm）：-PAE（％）： 52購貨交貨：3-4周

物料祥情簡單介紹

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

無比更適(shi)合脈沖信(xin)號汽車(che)雷(lei)達軟件應用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的(de)(de)GaN HEMT的(de)(de)工藝上確立的(de)(de)。它鑒于準MMIC技術設備。

它采用了密封膠法蘭片淘瓷金(jin)屬材質開關電源封裝形(xing)式，可給出低(di)生存(cun)和低(di)熱導(dao)率。