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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

很重要數據

CHK8101a99F 氮化鎵功率(lv)晶體(ti)管

Glin（dB）@頻率（GHz）： 14 @ 6業務頻點（GHz）：較多6個過飽和功效（W）： 20PAE（％）@頻繁（GHz）： 60 @ 6購貨交貨：3-4周

企業產品詳細情況解釋

CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該類(lei)產品為統計和(he)聯通光纖寬(kuan)帶等很多(duo)RF電源線(xian)技術應用保證萬能和(he)光纖寬(kuan)帶處理方(fang)案怎(zen)么寫。

它是體系結構SiC襯底(di)上的0.5μm柵長(chang)GaN HEMT技(ji)巧開發管理的，有(you)時候獨(du)特具(ju)有(you)RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006控制(zhi)指令的規定標(biao)準(zhun)。

它以裸集(ji)成塊手段(duan)確立，同時需用外鏈(lian)相配電(dian)路(lu)設計。