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CHK8015-99F 氮化鎵功率晶體管
CHK8015-99F  氮化鎵功率晶體管
比較重要技術參數

CHK8015-99F  氮化鎵功(gong)率(lv)晶體管

Glin(dB)@頻繁(GHz): 17 @ 9運轉頻率(GHz): 最久18趨于穩定額定功率(W):  20PAE(%)@速度(GHz): 68 @ 9定購交貨時間:3-4周

品牌:UMS微波

類產品詳情頁解紹

CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。

該(gai)控制電路(lu)是在(zai)SiC襯底上用到0.25μm柵極(ji)厚度的(de)GaN HEMT技術設備開發的(de)。

它以(yi)裸(luo)心片狀態強調,以(yi)及必須(xu)要 外部結構自(zi)動匹配電線。