CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該(gai)控制電路(lu)是在(zai)SiC襯底上用到0.25μm柵極(ji)厚度的(de)GaN HEMT技術設備開發的(de)。
它以(yi)裸(luo)心片狀態強調,以(yi)及必須(xu)要 外部結構自(zi)動匹配電線。
微波射頻元元件
CHK8015-99F 氮化鎵功(gong)率(lv)晶體管
Glin(dB)@頻繁(GHz): 17 @ 9運轉頻率(GHz): 最久18趨于穩定額定功率(W): 20PAE(%)@速度(GHz): 68 @ 9定購交貨時間:3-4周CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該(gai)控制電路(lu)是在(zai)SiC襯底上用到0.25μm柵極(ji)厚度的(de)GaN HEMT技術設備開發的(de)。
它以(yi)裸(luo)心片狀態強調,以(yi)及必須(xu)要 外部結構自(zi)動匹配電線。