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CHK8013-99F 氮化鎵功率晶體管
CHK8013-99F  氮化鎵功率晶體管
非常重要數據

CHK8013-99F  氮化(hua)鎵功率晶體管

Glin(dB)@頻點(GHz):17 @ 6工作的幀率(GHz): 更是高達10GHz是處于飽和狀態工作電壓(W):  14PAE(%)@規律(GHz): 70 @ 6定購交貨期:3-4周

品牌:UMS微波

好產品具體詳情介紹

CHK8013-99F是14W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該(gai)的產(chan)品(pin)為統計和中國(guo)聯(lian)通等各方(fang)面RF24v電源采(cai)用(yong)出示常用(yong)和光纖寬帶滿足計劃方(fang)案。

該電源線路是在SiC襯底上使用0.25μm柵長的GaN HEMT方法造成的。

它以裸集成電(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)路(lu)芯片形態給出,從而必(bi)須 表面相配(pei)電(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)路(lu)。