CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該三極(ji)(ji)管用到規則的pHEMT生產(chan)技術生產(chan):柵極(ji)(ji)段(duan)長度0.25μm,采(cai)用柔性板的通孔(kong),空氣(qi)當中(zhong)橋(qiao)和電(dian)子為(wei)了滿足(zu)電(dian)子時代發展(zhan)的需求,束柵極(ji)(ji)夜刻。
微波加熱元零件封裝
CHA3666-99F 放(fang)大(da)器– LNA
微波射頻帶寬使用(GHZ): 6 - 17收獲(dB):21增益控制同軸度(dB):0.5燥聲指數公式(dB):1.8P-1dB內容輸出(dBm):17訂購交貨期:3-4周CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該三極(ji)(ji)管用到規則的pHEMT生產(chan)技術生產(chan):柵極(ji)(ji)段(duan)長度0.25μm,采(cai)用柔性板的通孔(kong),空氣(qi)當中(zhong)橋(qiao)和電(dian)子為(wei)了滿足(zu)電(dian)子時代發展(zhan)的需求,束柵極(ji)(ji)夜刻。