CHA7115-99F是專為X波段應用而設計的單片式三級GaAs高功率放大器。
該HPA基本出示8W傷害工作使用率,在4dBcomp時具備有36%的工作使用率額外使用率,以及在失配負載電阻下具備有很高的魯棒性。
該功率器件主要采用0.25μm Power pHEMT技術產生,涵蓋利用的基板的通孔和和氣氣橋。
它以單片機芯片形態提高。
紅外光元電子元件封裝
CHA7115-99F 變大器– HPA微波射頻下行帶寬(GHZ): 8.5-11.5增益控制(dB): 27.5IP3(dBm):-P-1dB輸出的(dBm):-傷害電功率(dBm):39.5定購交貨時間:3-4周
CHA7115-99F是專為X波段應用而設計的單片式三級GaAs高功率放大器。
該HPA基本出示8W傷害工作使用率,在4dBcomp時具備有36%的工作使用率額外使用率,以及在失配負載電阻下具備有很高的魯棒性。
該功率器件主要采用0.25μm Power pHEMT技術產生,涵蓋利用的基板的通孔和和氣氣橋。
它以單片機芯片形態提高。