AM010MH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI品類的一部電影分。HiFET也是種環節搭配的國家專利專用主設備設置,用作高壓電、大最高功率、高規則化和移動寬帶運用。該零配件的總專用主設備外層為4直徑。AM010MH4-BI-R專為高熱效率紅外光選用而設計制作,運作頻率高達到3GHz。BI系列作品分為特別的制作的陶瓷圖片封裝,彎曲成或直挺挺的引線和活套法蘭部分為復制到式裝設方法。禮品盒左下角的活套法蘭部此外用作電流接地保護保護、微波射頻接地保護保護和熱渠道。一種HiFET按照RoHS標。
癥狀
28V漏極偏壓
移動寬帶部件切換:DC–2.4GHz
達到了3 GHz的高頻率使用
高增益值:G=19dB@2.0GHz
高額定功率:P1dB=31dBm@2.0GHz
高平滑:IP3=46dBm@2.0GHz
有效性散熱管的工業陶瓷彩盒
軟件應用
光纖寬帶用
壓力20至28V
wlan網上環道路絡
PC基站天線
WLAN、中繼器和超局域網絡
C光波VSAT
飛機電子器件微波通信
中文翻譯
微波加熱元功率器件