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微波射頻元電子器件封裝
AM010WH2-BI-R是砷化鎵高場滯后效應氯化鈉晶體管BI類型的十組成部分。HiFET就是種部件篩選的發明專利機器設備配資，廣泛應用在超高壓、大瓦數和光纖寬帶廣泛應用。這那部件的總元器件封裝外部為2公厘（兩只1毫米左右的FET電容串聯）。AM010WH2-BI-R專為中額定功率紅外光應運而設計方案，本職工作頻帶寬度大約12GHz。它也是更好 功效設備的滿意驅動安裝方式。BI系列產品應用比較特殊設定的淘瓷打包封裝，應用放到式安裝原則，暗含內彎（BI-G）或直（BI）輸電線。封裝類型下面的卡箍同樣應用于直流電源跨接、rf射頻跨接和熱車道。此方面合乎RoHS。
癥狀
高達模型12GHz的低頻控制
高收獲和高電功率，P1dB=30dbm@3.5GHz
界面貼裝
有效地水冷散熱的框架
利用
wifi手機本地網環交通網絡
蜂窩有線電微波通信
WLAN、中繼器和超廣域網
C中波段VSAT
統計