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ADRF5132是款高工率、反射強度性、0.7 GHz至5.0 GHz、硅、單極、雙擲（SPDT）光反射按鈕，運行無高壓導線表皮貼裝裝封行式。該互轉機尤為可以高瓦數和蜂窩狀基礎條件裝置基本建設利用，如長時長演變（LTE）移動通信基站機器。ADRF5132遵循35 dBm LTE的高工作電壓工作效應（在105°C下的平均值主要值），2.7 GHz下0.6 dB的低插入圖耗損，65 dBm的復制粘貼三階截距（典型的值）和42.5 dBm的0.1 dB壓縮視頻（P0.1dB）。

ADRF5132板上電原電路板在5V的單一純粹正外接電源直流電壓和1.1mA的主要表現電壓感應電流下程序運行，使ADRF5132已成為特征提取pin場效應管的旋轉開關的理想型化代替品。

ADRF5132選則符合RoHS規格的緊身型16管腳3 mm×3 mmLFCSP芯片封裝模式。

特證

反射面性，50?定制

低讀取消耗：2.7 GHz時主要為0.6 dB

TCASE=105°C時的高功效緩解

長時長（>10年程序運行）

極大工作效率：43 dBm

CW電機功率：38 dBm

LTE頂值額定功率（8 dB規范標準桿數）：35 dBm

單時件（<10秒的操作）

LTE頂值公率（8 dB條件桿數）：41 dBm

高直線度

P0.1dB:42.5 dBm典型的值

IP3:2.0 GHz至4.0 GHz時的其最典型的數值為65 dBm

ESD特殊值

HBM:2 kV，2級

CDM：1.25 kV

單正電原：5V

順向設定，兼容CMOS/TTL

16管腳，3mm×3mm LFCSP打包封裝結構

采用

蜂窩狀/4G基本條件設備發展

無線數據網絡數據核心的設施規劃

軍事和高穩定性技術應用

測評實驗室設備

Pin場效應管更換

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